泰坦未来发布12英寸多晶碳化硅衬底

湖南泰坦未来科技发布国内首款12英寸多晶碳化硅（Poly-SiC）衬底，面向AI芯片先进封装散热基板与刻蚀部件。公司称该产品已通过台积电相关认证测试，并向三星送样，同时与谷歌、英伟达等企业展开合作。 公司披露的参数包括：沉积速度每小时60微米，最低电阻率小于1毫欧·厘米，孔洞缺陷少于每平方厘米0.1个，热导率不低于300W/(m·K)。 该项目目前处于样品验证向小批量试产过渡阶段，公司预计2027年后逐步规模化供货。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。