三星开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存
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三星开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存
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AI 综述
三星电子正在开发两款面向 AI 负载优化的 NAND 闪存 zNAND-T 与 zNAND-I，加上此前已公布的 zNAND-O，共三种型号。据韩媒 ZDNET Korea 报道，zNAND-T 的 T 代表吞吐量，采用 TSV 堆叠 NAND Die，用于优化数据中心 AI 读写带宽，概念类似闪迪和 SK 海力士的 HBF；zNAND-I 的 I 指 IOPS，面向少量数据频繁读写的场景，KV Cache 卸载即属此类。 两款产品的具体规格、量产时间和适用条件尚未公布。
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最新进展10月12日 13:54
三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月12日
- IT之家三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
三星电子正在开发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款 AI 负载优化 NAND 闪存，加上此前公布的 zNAND-O 共三种型号。zNAND-T 的 T 代表吞吐量，类似闪迪和 SK 海力士的 HBF 概念，采用 TSV 堆叠 NAND Die 优化数据中心 AI 读写带宽；zNAND-I 的 I 指 IOPS，强调少量数据频繁读写，KV Cache 卸载即属此类场景。
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