美光预告超400层G11 NAND闪存

美光预告了下一代 G11 NAND 闪存：堆叠层数超过 400 层，采用晶圆对晶圆键合技术，按面积计算的存储密度约为现有 276 层 G9 NAND 的 2 倍。美光称该产品计划于 2027 年下半年产能爬坡，并似乎跳过了 G10 世代。 目前披露的是产品预告和量产时间表，尚未给出具体容量、性能或客户信息。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。