韩媒称英伟达下代 Groq LPU 改用 3D 堆叠 DRAM
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韩媒称英伟达下代 Groq LPU 改用 3D 堆叠 DRAM
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AI 综述
据韩媒报道，英伟达下一代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望放弃当前代的大容量 SRAM 缓存设计，转向基于 TSV 工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案。 报道给出的理由是，SRAM 容量较小，制程升级带来的密度收益有限，在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。同样采用大 SRAM 路线的 Cerebras 此前已预告，CS-6 将采用 3D 垂直集成 DRAM。 上述方案目前仍是报道中的预期，英伟达尚未公布相关芯片的具体规格。
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最新进展10月21日 11:24
消息称 NVIDIA 下代 Groq LPU 芯片转向 3D 堆叠 DRAM，放弃大 SRAM 方案报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月21日
- IT之家消息称 NVIDIA 下代 Groq LPU 芯片转向 3D 堆叠 DRAM，放弃大 SRAM 方案
NVIDIA 下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望采用基于 TSV 工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案，放弃当前代的大容量 SRAM 缓存设计。SRAM 存在容量较小、制程升级密度收益有限的问题，在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。同样采用大 SRAM 路线的 Cerebras 此前已预告 CS-6 将 3D 垂直集成 DRAM。
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