基辛格批HBM是糟糕的内存

前英特尔 CEO 帕特·基辛格在 a16Z 专访中批评高带宽内存（HBM）"糟糕透了"，称其位密度低、带宽受限，功耗与散热问题突出，对 AI 这类内存计算密集型负载是"灾难性的"。 基辛格提到 HBM3/3E 总线宽度为 1,024 位、HBM4 提升至 2,048 位；他引用韩国科学技术院的分析称，HBM 功耗超过约 30 瓦时，PHY 接口自身发热会成为内存热应力的主要来源。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。