美光预计2028年推出vHBM与vEIM内存
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美光预计2028年推出vHBM与vEIM内存
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AI 综述
美光预计在2028年推出vHBM和vEIM两种新型3DS内存，时间点与标准HBM5面世同期。 vHBM将DRAM Die、Base Die和XPU逻辑主芯片垂直堆叠，可与标准2.5D HBM共存；vEIM瞄准端侧AI推理，初代目标为2TB/s带宽和低于1pj/bit的能效。美光计划以无凸块混合键合技术和集成散热方案实现这两款产品。
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最新进展10月22日 09:45
美光预计 2028 年推出垂直堆叠 vHBM 与边缘推理 vEIM报道时间线
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10月22日
- IT之家美光预计 2028 年推出垂直堆叠 vHBM 与边缘推理 vEIM
美光预计在标准 HBM5 面世的 2028 年推出 vHBM 和 vEIM 两种新型 3DS 内存。vHBM 垂直堆叠 DRAM Die、Base Die 和 XPU 逻辑主芯片，可与标准 2.5D HBM 共存；vEIM 瞄准端侧 AI 推理，初代目标为 2TB/s 带宽和＜1pj/bit 能效。美光计划以无凸块混合键合技术和集成散热方案实现这两款产品。
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